本文较深化地评论了两种常用形式的电路：按捺电压上升率形式与电压钳位形式，详细剖析了其各自的，给出了相应的计算公式，最终经过试验提出了电路的优化规划办法。
是一种能耗式电压，分为按捺电压上升率形式和电压钳位形式两种类型，习惯上前者称为RCD Snubber电路，而后者则称为RCD Clamp电路。
为了剖析便利，以下的剖析或举例均针对反激电路拓扑，开关器材为功率MOSFET。
关于功率MOSFET来讲，其电流下降的速度较GTR或IGBT快得多，其关断损耗的数值要比GTR或IGBT小，可是这个损耗对整个小功率的电源体系也是不容忽视的。因此提出了按捺电压上升率的RCD Snubber。
如图1所示，在开关管关断瞬间，反激变压器的漏感电流需要按原初始方向持续活动，该电流将分红两路：一路在逐渐关断的开关管持续活动;另一路经过Snubber电路的二极管Ds向电容Cs充电。由于Cs上的电压不能骤变，因此下降了开关管关断电压上升的速率，并把开关管的关断功率损耗搬运到了Snubber电路。假如Cs足够大，开关管电压的上升及其电流的下降所构成的穿插区域将会促进下降，能够逐渐下降开关管的关断损耗。可是Cs的取值也不能过大，由于在每一个关断期间的起始点(也便是注册期间的完毕点)，Cs有必要放尽电荷以对电压上升率进行相对有用的按捺;而在关断期间的完毕点，Cs虽然能下降开关管电压的上升时间，但其端电压最终会到达()(为疏忽漏感时的电压尖峰，为次级对初级的反射电压)。
关管导通的瞬间，Cs将经过电阻Rs与M所构成的回路来放电。Snubber的放电电流将流过开关管，会发生电流突波，而且假如某个时间占空比变窄，电容将不能放尽电荷而不能够到达下降关断损耗的意图。
可见，Snubber电路仅在开关过渡瞬间作业，下降了开关管的损耗，提高了电路的可靠性，电压上升率的减慢也下降了高频电磁搅扰。
RCD Clamp不同于Snubber形式，其意图是约束开关管关断瞬间其两头的最大尖峰电压，而开关管自身的损耗根本不变。在作业原理上电压钳位形式RC的放电时间常数比按捺电压上升率形式更长。
以图2为例剖析电路的作业进程，而且运用作业于反激式变换器的变压器模型。反激式变压器主要由抱负变压器、激磁电感与漏感组成。
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