![中报]长光华芯(688048)：2024年半年度报告](/ms/static/picture/5c660af7b37f7.jpg)
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
公司已在本报告中详细描述可能存在的相关风险，详细的细节内容详见本报告第三节“管理层讨论与分析”。
五、 公司负责人闵大勇、主管会计工作负责人郭新刚及会计机构负责人（会计主管人员）郭新刚声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
本报告所涉及的公司未来计划、发展的策略等前瞻性陈述，不构成公司对投入资产的人的实质承诺，请投资者注意投资风险。
十一、 是不是真的存在半数以上董事没办法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否
苏州英镭企业管理合伙企业（有限合伙），公司股东， 核心管理团队持股平台
中科院科技成果转化创业互助基金（武汉）合伙企业 （有限合伙），公司股东
具有单独功能且功能不能拆分的电子器件，依据芯片 结构和功能的不同可大致分为半导体二极管、三极管、桥 式整流器、光电器件等
用半导体材料作为工作物质的激光器。具有体积小、寿 命长等优点，被大范围的应用于激光加工、激光通信、光存 储、光陀螺、测距以及雷达等方面，又称激光二极管
以固体材料为激光介质的激光器，通常以特种灯或半 导体激光器作为能量泵浦源（以半导体激光器发出的 光，泵浦晶体增益介质产生光）
以掺有激活粒子的光纤为激光介质的激光器，通常以 半导体激光器作为能量泵浦源（以半导体激光器发出 的光，泵浦光纤增益介质产生光）
把光纤的端面和激光芯片的出光面精密对接起来，以 使芯片发射光纤输出的光能量能最大限度地耦合到接 收光纤中去，并使其介入光链路从而对系统造成的影 响减到最小
一种通过叠加多个设备的输出以此来实现激光源功率调 整的方法，本质上是将多个激光源的输出合成为一 个单一的输出光束，即便每个单一的激光器的功率不 可调，但这种可扩展的合束技术使得合成后的光源的 功率变成可调
Vertical Cavity Surface Emitting Laser指垂直腔 面发射激光芯片。此类芯片可以将激光垂直发射而出，
Distributed Feedback Laser，分布式反馈激光器芯 片，一种边发射激光器芯片
Electro-absorption Modulated Laser，电吸收调制 激光器芯片，一种边发射激光器芯片
垂直整合制造（Integrated Device Manufacture）， 指从设计，制造，封装测试到销售自有品牌芯片都一手 包办的半导体垂直整合型公司
Metal-organic Chemical Vapor Deposition（金属有 机化合物化学气相沉淀）的缩写，是在气相外延生长 （VPE）的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技 术
Suzhou Everbright Photonics Co.,Ltd
公司于2022年8月29日召开第一届董事会第十八次会议 ，审议通过了《关于变更公司注册地址、修订并办理 工商变更登记的议案》，赞同公司注册地址由“苏州 高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A区2号厂房-1- 102、2号厂房-2-203”变更为“苏州市高新区漓江路 56号”
注：根据《公开发行证券的公司信息公开披露解释性公告第1号—非经常性损益》（证监会公告【2023】65号），与资产相关的政府补助不再认定为非经常性损益，调整上年同期数字，下同。
经营活动产生的现金流量净额较上年同期下降81.76%，主要系：（1）本报告期内，收入下降，销售回款较上年同期减少2,237.22万元；（2）本报告期内，收到的税费返还较上年同期减少832.41万元；（3）本报告期内，缴纳的各项税费较上年同期增加509.19万元。
1、报告期内，公司实现营业收入 12,736.05万元，同比下降 10.39%；归属于上市公司股东净利润-4,248.04万元；归属于上市公司的扣除非经常性损益的净利润-7,272.89万元。根本原因为：（1）由于春节前后人员波动，出现产能瓶颈，2024年一季度仅实现营业收入5,248.72万元，比上年同期减少41.91%，二季度克服相关瓶颈实现营业收入7，487.33万元，比上年同期增加44.62%；（2）科研类模块由于生产难度大，出现产出不足，不能完全交付情况，导致收入下降，公司本年加大研发投入，研发费用较上年同期上升13.56%；（3）激光器市场之间的竞争激烈，工业市场光纤耦合模块等产品价格进一步下滑；（4）本报告期内，信用减值损失和资产减值损失计提进一步影响了利润水平。
2、报告期内基本每股盈利和稀释每股收益、扣除非经常性损益后的基本每股收益均会降低，还在于报告期内净利润下滑所致。
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经 营业务紧密关联、符合国家政策规定、按照 确定的标准享有、对公司损益产生持续影响 的政府救助除外
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值 业务外，非金融企业持有金融实物资产和金融负 债产生的公允市价变动损益以及处置金融资 产和金融负债产生的损益
企业取得子公司、联营企业及合资经营企业的投 资成本小于取得投资时应享有被投资单位可 辨认净资产公允市价产生的收益
对于现金结算的股份支付，在可行权日之 后，应付职员薪酬的公允市价变动产生的损 益
对公司将《公开发行证券的公司信息公开披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息公开披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因 □适用 √不适用
公司聚焦半导体激光细分行业，主营业务为半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造与销售。根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业属于门类“C制造业”中的大类“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”中“C3976光电子器件制造”，指利用半导体光—电子（或电—光子）转换效应制成的各种功能器件制造。
半导体产业是现代信息产业的基础，大范围的应用于计算机、网络通信、消费电子、智能化工业设备等领域，是关系国民经济与社会持续健康发展全局的基础性、先导性和战略性产业。
半导体激光行业通常包括激光芯片、激光器件、激光模块及直接半导体激光器等领域，而直接半导体激光器则是半导体激光行业的终端产品，由半导体激光器模块、输出光学系统、电源系统、控制管理系统及机械结构等构成，在电源系统和控制管理系统的驱动和监控下实现激光输出。
半导体激光器引领光子时代，具有电光转换效率高、体积小、可靠性高、寿命长、波长范围广、可调制速率高等显著优点，为下游激光器提供不同光子能量，除可以直接用外，亦被作为光纤激光器和固体激光器等其他激光器最理想的泵浦源，属于其核心器件及核心部件。因此，根据不同的光子类型，其下游激光器类型众多，应用领域较为广泛。
公司始终专注于半导体激光芯片的研发、设计及制造，基本的产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品等，逐步实现高功率半导体激光芯片的国产化。公司紧跟下游市场发展趋势，不断开发具有领先性的产品、创新优化生产制造工艺、布局建设生产线，已形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵，为半导体激光行业的垂直产业链公司。公司产品可广泛应用于：光纤激光器、固体激光器及超快激光器等光泵浦激光器泵浦源、直接半导体激光输出加工应用、激光智能制造装备、国家战略高技术、科学研究、医学美容、激光雷达、机器视觉定位、智能安防、消费电子、3D传感与摄像、人脸识别与生物传感等领域。报告期内，公司主营业务未发生重大变动。
经过多年的研发和产业化积累，针对半导体激光行业核心的芯片环节，公司已建成覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工艺（光刻）、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等IDM全流程工艺平台和2吋、3吋、6吋量产线，应用于多款半导体激光芯片开发，突破一系列关键技术，是少数研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一。同时，依托公司高功率半导体激光芯片的技术优势，公司业务横向扩展，建立了高效率VCSEL激光芯片和高速光通信芯片两大产品平台，另外公司业务向下游延伸，开发器件、模块及终端直接半导体激光器，上下游协同发展，公司在半导体激光行业的综合实力逐步提升。
公司核心产品为半导体激光芯片，并且依托高功率半导体激光芯片的设计及量产能力，纵向往下游器件、模块及直接半导体激光器延伸，横向往VCSEL芯片及光通信芯片等半导体激光芯片扩展。主要产品有高功率单管系列新产品、高功率巴条系列新产品、高效率VCSEL系列新产品及光通信芯片系列新产品。
公司建立健全研发体系和研发管理制度，加强对研发组织管理和研发过程管理，不断强化芯片设计、晶圆制造、芯片加工及封装测试等工艺积累，在核心技术方面屡获突破，打造了自身在半导体激光芯片领域的核心能力。同时，针对半导体激光行业应用场景多元化、复杂化的发展的新趋势，公司凭借在高功率半导体激光芯片领域的技术积累，构建了GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、GaN（氮化镓）三大材料体系，建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台，纵向延伸开发器件、模块及直接半导体激光器等下游产品；横向扩展VCSEL及光通信激光芯片领域。依托公司多系列的产品矩阵，上下游协同发展，公司在半导体激光行业的综合实力稳步提升。核心技术先进性及具体表征如下：
半导体激光器结构设计包括垂直快轴结构设计、水 平慢轴结构设计及纵向结构设计，通过模拟计算器 件的光斑及载流子分布对器件结构进行优化，综合 考虑器件光斑、载流子、量子阱、能带结构对器件 阈值、斜率、电压、量子效率等参数的影响，进行 最优化设计，提高芯片的效率、功率、光束质量、 电性能和可靠性。
公司采用分布式载流子注入技术解决半导体激光 器空间烧孔效应，提高载流子调制效率，寻找高效 抑制激光器高阶侧模的载流子调试注入方案，提高 半导体激光芯片的亮度。
激光器晶体材料采用高质量MOCVD外延技术实现。 公司的 MOCVD外延生长技术包括外延工艺、MOCVD 外延设备改进工艺，如针对温度场、气场分布与 III/V比等进行调整，并建立高铟组分应变量子阱 外延生长动力学模型，得到高质量的外延晶体材 料。
多节VCSEL的设计让VCSEL的多个有源发光区通过 隧道结串联起来共用上下点极和DBR层，实现低电 流下成倍的功率增长，器件的效率也大大提高。
工艺流片（WaferFab）是通过光刻、刻蚀、清洗、 氧化、钝化工艺，将外延晶圆的有源区制备出脊波 导，通过磁控溅射、电子束蒸发、电镀、研磨减薄、 退火、制备激光器正负电极并进行欧姆接触合金 化。公司建立步进式自动化光刻、程序化全自动湿 法刻蚀、自动清洗等标准自动化工序，可进行2吋、 3吋、6吋外延晶圆流片。公司在WaferFab工艺和 设备方面有一定的技术积累，可提高芯片的性能和
公司在外延片背面沉积了一层氧化硅、氮化硅、三 氧化二铝等介质材料，通过调节材料的厚度和应力 水平，降低外延片的翘曲程度，提升薄膜密排垂直 腔面发射激光器制作中的光刻精度，从而实现薄膜 密排垂直腔面发射激光器的制备。
腔面抗光学灾变损伤（COMD）是限制半导体激光器 输出功率和使用寿命的关键因素，从 COMD失效的 原理出发，提高COMD阈值的技术主要包括：（1） 减少腔面的光吸收；（2）降低非辐射复合速率； （3）降低光子密度。
半导体激光器的封装对芯片的性能有极大的影响， 封装需要提供电极及电路、通过焊接来提供好的散 热、不能有空焊、控制应力。公司采用大功率半导 体激光器芯片封装技术进行半导体激光器的封装， 从而提高器件的偏振性和可靠性。
半导体激光器增益高、增益范围宽，只需少量反馈 即可压制本身发出波长，实现波长锁定。公司利用 高亮度光谱合束技术采用光栅+外腔结构进行波长 选择性反馈，实现波长锁定。但是过多的反馈将导 致输出功率降低，即整体电光效率降低。而过低的 反馈又将导致反馈光无法压制半导体激光器自身 发出波长。因此，公司通过选择光栅参数将波长选 择性反馈调整至合理的范围，提高光纤耦合模块的 输出性能。
半导体激光器光纤耦合模块出射激光需要通过光 束整形、合束、VBG等操作，最后耦合进光纤。公 司的高质量光纤耦合技术可实现高质量的光束整 形、波长锁定，最终成功将出射激光进行光纤耦合。
激光系统及应用技术主要指激光镀膜技术，公司采 用该技术可以将清洗后的基底立刻进行覆膜的压 合，相比传统的清洗和压合工序，清洗后的基底不 会再次被污染，对压合工序不会造成不良影响。
开展器件结构 的设计、外延 材料生长的优 化、后道器件 制备工艺及封 装工艺的优化 等关键技术， 实现国产的高 功率VCSEL阵 列芯片器件的 研发与产业 化。
吸收窗口技 术，突破功率 密度的增加导 致腔面界面处 光-材料化学 相互作用引起 腔面损伤问题
针对半导体巴 条激光器，通 过对激光器物 理机制及关键 技术研究，实 现巴条高功率 输出
基于自主研发 芯片和合束技 术进行光纤耦 合半导体激光 泵浦源的研 究，最终研制 出光纤激光泵 浦源产品
公司核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域，包括器件设计及外延生长技术、FAB晶圆工艺技术、腔面钝化处理技术以及高亮度合束及光纤耦合技术等。
公司通过非对称的波导结构设计，让有源层更靠近p型限制层，且p型限制层的折射率大于n型限制层，在不改变光场模式曲线的情况下，实现对有源层光场限制因子及内部损耗的独立优化。采用大光腔结构，改善了近场模式和远场输出特性；增大发光面积，相对减小输出光功率密度，在增加输出功率的同时保证器件寿命。
公司采用分布式载流子注入技术，通过图形化电极实现载流子的调制注入，平衡半导体激光器因为前后端面因反射率差异而出现的纵向载流子非均匀分布，解决半导体激光器在大功率工作条件下因载流子分布不均匀所导致的纵向空间烧孔效应，最终实现大功率工作条件下的载流子平衡均匀分布，进一步提升半导体激光器的输出功率。
公司采用自主创新的腔面钝化和窗口制备方案，制备高稳定性及高重复性的宽带隙腔面无吸收窗口结构，大幅降低了激光器腔面的激光吸收从而减少热量产生，提高芯片抗损伤阈值，最终实现芯片输出功率及可靠性的提升。
公司研究的多有源区级联的半导体激光器中，让各个小数量的量子阱堆叠，分布在周期性光场的每一个峰的中心，每一组量子阱堆叠所占据的都是更靠近光场峰值的位置，增加了腔内增益，降低了器件的阈值，并不会增加材料的内损耗，从而提高了激光器的功率和效率。
公司采用体光栅分布式外腔反馈技术研制高亮度波长锁定激光源。利用半导体激光芯片与外部光学系统构成谐振腔，每个激光单元振荡波长均与器件选择性反馈波长相匹配，所有激光单元保持输出波长一致性，从而实现波长锁定，由此技术研制的高亮度光纤耦合模块具有高亮度和输出波长稳定等优点。
公司已建成2吋、3吋、6吋半导体激光芯片量产线，拥有了一套从外延生长、晶圆制造、封装测试、可靠性验证相关的设备，并突破了晶体外延生长、晶圆工艺处理、封装、测试的关键核心技术及工艺。目前 2吋量产线主要用于公司新方向氮化镓，3吋量产线为半导体激光行业内的主流产线吋量产线为该行业内最大尺寸的产线，相当于是硅基半导体的12吋量产线。
大部分工艺环节达到了生产自动化，实现了高功率半导体激光芯片的研制和批量投产，芯片功率、效率、亮度等重要指标达到国际先进水平。
公司采用IDM模式进行半导体激光芯片的研发、生产与销售，掌握半导体激光芯片核心制造工艺技术关键环节，已建成2吋、3吋及6吋半导体激光芯片量产线，构建了GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、GaN（氮化镓）三大材料体系，建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台，具备各类以GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、GaN（氮化镓）为衬底的半导体激光芯片的制造能力。
公司深耕半导体激光芯片领域多年，核心技术人员均在激光行业拥有多年的技术研发及运营管理经验，并且高度重视聚集和培养专业人才，在对未来市场发展方向谨慎判断的基础上，针对性地引入专业人才。目前，公司已构建一批高层次的人才队伍，包括多名国家级人才专家、省级领军人才等。公司团队多次获得国家、省市区重大创新团队和领军人才殊荣，承担多项国家级及省级重大科研项目。
公司始终以自身平台为基础，旨在培养一支新成长技术力量，并与四川大学、国内某高校、南京激光先进研究院、东南大学、中科院苏州纳米所等国内高等学府和科研院所，签订产学研合作协议，建立联合实验室，推进高功率半导体激光芯片制造技术、封装技术、光学合束技术及光纤耦合技术等各个层面上的激光技术深入研究，进一步打造一支在国际上有较大影响力的专业技术团队。
(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用
公司始终重视研发创新能力建设，持续加大对高功率芯片和模块、光通信产品、VCSEL产品、激光无线能量传输芯片、直接半导体激光器产品的投入，使产品保持创新性及领先性。公司积极开拓市场，加大研发投入，公司具体经营情况及各项产品研发进展如下： 1、高功率半导体激光芯片保持领先。公司超高功率单管芯片在结构设计与研制技术上取得突破性进展，研制出的单管芯片室温连续功率超过100W（芯片条宽500μm），工作效率62%，是迄今为止已知报道的单管芯片功率最高水平记录，开启了百瓦级单管芯片新纪元。公司的9XXnm50W高功率半导体激光芯片，在宽度为330μm发光区内产生50W的激光输出，光电转化效率高（大于等于62%），现已实现大批量生产、出货，是目前市场上量产功率最高的半导体激光芯片。
2、VCSEL应用不断拓展。公司的VCSEL芯片是公司横向拓展中重要的发展方向，现在主要有三方面应用：（1）消费电子，主要用于手机、AR/VR等终端应用、3D传感领域；（2）光通信，短距离传输，应用于数据中心；（3）车载激光雷达芯片，已通过车规IATF16949和AECQ认证。除车载雷达用VCSEL激光器芯片外，公司还布局开发了车载EEL边发射激光器及1550nm光纤激光器的泵浦源产品，随着项目的推进，将进一步巩固长光华芯全套激光雷达光源方案提供商的市场地位。根据IMARCGroup数据，2022年，全球垂直腔表面发射激光器（VCSEL）市场的规模达17亿美元，预计到2028年，该市场规模将达到45亿美元，2023-2028年间的复合年均增长率（CAGR）为17.4%。
3、开拓光通信产品市场。公司推出单波100GEML(56GBdEML通过PAM4调制)、50GVCSEL（25GVCSEL通过PAM4调制）、100mWCWDFB大功率光通信激光芯片。公司光通信产品为当前400G/800G/1.6T超算数据中心互连光模块的核心器件。AI驱动高速光模块需求快速释放，根据Omdia数据，2025年高速光通信芯片市场规模有望达到43.40亿美元。
4、激光无线能量传输芯片引领科技前沿。激光无线能量传输技术具有高能量密度和远距离传输优势。可以为在轨卫星、无人机、移动终端等装备持续供电/补电，拥有广阔的应用前景。
公司研究团队发布了全半导体激光无线能量传输芯片及系统的最新成果，包括808nm和1μm的发射端激光芯片及模块、接收端单/多结激光电池芯片及模块、激光无线、平台资源整合，资本助力横向拓展新征程
为响应苏州太湖光子中心建设暨苏州高新区产业创新集群发展的号召，公司作为发起者及骨干推动成立太湖光子中心。围绕光子产业，为孵化企业提供生产平台和工艺研发、人才平台等全方位支持。发起成立光子产业基金，配合公司“一平台、一支点、横向扩展、纵向延伸”战略实施。
横向拓展氮化镓方向，进军可见光领域。公司全资子公司苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司与中科院苏州纳米所成立“氮化镓激光器联合实验室”，为拓展氮化镓材料体系的蓝绿激光方向奠定了基础。同时公司与相关技术团队合资成立了苏州镓锐芯光科技有限公司，共同开展氮化镓激光芯片的研发与生产，填补国内在氮化镓蓝绿激光器产业化领域的空白。第三代半导体材料（宽禁带半导体）氮化镓（GaN）以及其合金氮化物是直接带隙半导体，其可调节的能带宽度使其发光波长覆盖从深紫外、可见光直至红外的宽广的波谱范围。氮化镓半导体激光器具有直接发光、高效率、高稳定性等优势，蓝光和绿光波段的GaN激光器产品，已经在激光加工（有色金属加工、激光直写）、激光显示（激光大屏电视，XR微投影）、激光照明（车载大灯）、特殊通信等领域具有大范围的应用，总体市场需求超百亿元且呈现较高的复合增长趋势。
入股中久大光，加大特殊科研领域深度合作。公司全资子公司通过公开增资的方式对四川中久大光科技有限公司进行投资。公司与特殊领域行业龙头激光器企业达成深度战略合作关系，未来双方将联合研发多个重点项目，提升特殊领域研发能力。
发挥产业平台孵化功能，推进光子产业协同发展。公司借力研究院产业平台孵化功能的优势，先后投资成立了苏州匀晶光电技术有限公司(以下简称“匀晶光电”)和苏州睿科晶创光电科技有限公司(以下简称“睿科晶创”)，不断拓宽公司产品与技术的应用领域。
匀晶光电致力于开发先进的晶体生长及加工技术，向国内外客户提供高端铌酸锂、钽酸锂系列晶体，包括光调制、光纤陀螺、光隔离器、光学低通滤波片用光学级双面抛光LiNbO3晶片等。睿科晶创主要从事光学超晶格频率转换器件，扩展激光器包括半导体激光器的频率，使激光器适于更多的应用场景，具备成本低、体积小、可靠性高等优点。
积极扩展公司产品品类，布局高端功率器件方向。为抢抓电动汽车等新能源行业快速发展的全球市场机遇，公司投资成立了苏州惟清半导体有限公司，以进一步完善公司的产业布局，实现高端功率器件等核心产品技术的国产自主可控。
国产替代与海外拓展并驾齐驱。随着外部环境的持续变化，公司作为多年深耕高功率激光半导体的头部公司，将继续加大国产替代进程。同时，现在是开拓海外市场的机遇期、窗口期，公司将进一步布局海外市场。海外业务的持续延展将为利润和毛利的提升提供有力支持。
报告期内，公司不断完善内控流程体系，通过内部培训以及企业价值观建设，进一步优化各项制度流程，提升公司运营效率和治理水平。公司严格按照各项法律法规的要求，认真履行信息披露义务，确保信息披露及时、真实、准确和完整。
报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
报告期内，一方面由于人员波动、科研类模块生产难度较大，公司一季度出现产出不足，导致收入有所下降；另一方面受宏观经济环境等因素的影响，行业竞争加剧，工业市场光纤耦合模块等产品价格进一步下滑，导致公司毛利水平下降。另外，公司存货水平较高，部分存货出现减值现象，相应的资产减值准备计提影响了利润。
未来受市场需求变化、行业竞争加剧、产品更新换代等因素综合影响，公司的销售收入将可能面临较大幅度波动的情况，同时公司业绩还将面临原材料成本、人力成本、能源成本、持续的研发投入等各方面因素影响，从而使得公司面临经营业绩下滑的风险。
公司经过多年的持续研发投入，在高功率半导体激光芯片领域形成了一系列技术积累。随着半导体激光技术的不断演进，技术革新及产品迭代加速、应用领域不断拓展已成为行业发展趋势。若公司不能继续保持充足的研发投入，或者在关键技术上未能持续创新，亦或新产品技术指标无法达到预期，则可能会面临核心技术竞争力降低的风险，导致公司在市场竞争中处于劣势，面临市场份额降低的情况。
半导体激光行业是技术密集型行业，具有研发投入高、研发周期长、研发风险大及行业技术更新速度快等特点。公司在研发新产品的过程中，也存在下游客户的产品导入和认证过程，需要接受周期较长、标准较为严格的多项测试。若公司未能准确把握下业客户的应用需求，未能正确理解行业及相关核心技术的发展趋势，无法在新产品、新工艺等领域取得持续进步，可能导致公司产品研发失败，或因稳定性差、应用难度大、成本高昂、与下游客户需求不匹配等因素，导致公司新产品无法顺利通过下游客户的产品导入和认证，会对公司的经营业绩造成不利影响。
半导体激光行业属于技术密集型行业，对技术人员的依赖度较高，高素质技术人员是公司核心竞争力的重要组成部分，也是公司赖以生存和发展的基础和关键。稳定的研发队伍和技术人员，是公司持续进行技术创新和保持市场竞争优势的重要因素。未来，如果公司薪酬水平与同行业竞争对手相比丧失竞争优势、核心技术人员的激励机制不能落实、或人力资源管控及内部晋升制度得不到有效执行等，将难以引进更多的高端技术人才，甚至导致现有骨干技术人员流失，将对公司生产经营产生不利影响。
报告期内，公司主要营业业务为半导体激光芯片及其器件、模块的研发、生产与销售。由于公司产品生产技术要求较高、技术更新迭代较快，如有新型号、新规格且技术难度较高的产品导入量产，可能会使得生产良率有所波动。如果未来公司的生产工艺技术不能持续进步，则存在生产良率无法进一步稳步提升的风险，进而影响公司的经营业绩。
公司的主要产品应用领域为国内工业激光器领域，下业集中度较高，公司来自主要客户的收入较为集中。若公司因产品和服务质量不符合主要客户要求导致双方合作关系出现重大不利变化，或主要客户未来因经营状况恶化导致对公司的直接订单需求大幅下滑，可能对公司的经营业绩产生不利影响。
报告期内，受产业链整体价格下降以及国内外厂商的竞争策略影响，公司基本的产品价格呈下降趋势。若未来产品价格持续下降，而公司未能采取有效措施，巩固和增强产品的综合竞争力、降低产品生产成本，公司可能难以有效应对产品价格下降的风险，导致利润率水平有所降低。
虽然公司目前应收账款回收情况良好，且主要客户均为国内外知名厂商，但由于应收账款数额较大，若客户信用状况发生重大不利变化，公司将面临坏账增加的风险。
公司存货余额水平较高。公司采取垂直一体化的IDM经营模式，产品生产工序较长，公司为及时响应下游客户需求，各个工序均需保持一定数量的备货库存，因此存货余额较高。一方面，若客户单方面取消订单，或因客户自身需求变更等因素减少订单计划，及产品的快速迭代， 可能导致公司存货的可变现净值低于成本；另一方面，公司近年来新建厂房和购置生产相关设备资产，投入较大，使得固定成本提高较多，若公司产品产量因市场需求波动出现大幅减少，或因下游竞争日趋激烈而出现大幅降价，将可能使得该产品可变现净值低于成本，对公司的经营业绩产生不利影响。
公司所处的半导体激光行业属于技术和资本密集型行业，专利和技术投资、固定资产投资的需求较高，尤其是生产制造所需的外延生长设备、腔面处理设备、光刻设备、测试组装设备等关键设备的购置成本高昂，规模化生产所需的生产线建设投入较大。
此外，公司首次公开发行募集资金投资项目实施完成后，公司固定资产等长期资产将继续增加，固定资产折旧费用也将相应上升。若公司产销规模未能随之增长，可能导致产品单位成本中4. 毛利率下降的风险
受高功率半导体激光芯片领域竞争加剧、公司为打造行业价格壁垒主动降价、下游厂商降价传导等因素影响，公司毛利率降幅较大。公司产品毛利率受宏观经济、市场竞争情况、原材料价格波动、自身产品结构变动等多种因素影响，若出现宏观经济波动、市场竞争加剧、原材料价格大幅上升而公司未能有效转嫁对应成本、公司产品结构未能及时调整等情况，可能导致公司产品毛利率下降，从而影响公司的盈利能力。
公司产品处于激光行业产业链上游，其需求直接受到下游工业激光器、激光加工设备、激光雷达及消费电子等市场发展态势的影响。如果未来宏观经济发生剧烈波动，导致工业激光器等终端市场需求下降，或者激光雷达、消费电子需求下滑、应用场景不成熟等因素导致无人驾驶、人脸识别等技术应用不及预期，将对公司的业务发展和经营业绩造成不利影响。
近年来，在产业政策和地方政府的推动下，国内半导体激光行业呈现出较快的发展态势，市场参与者数量不断增加。与此同时，国外企业也日益重视国内市场。在国际企业和国内新进入者的双重竞争压力下，公司面临市场竞争加剧的风险。如竞争对手采用低价竞争等策略激化市场竞争形势，可能对公司产品的销售收入和利润率产生一定负面影响。
未来如果行业增长趋势减缓或行业出现负增长，可能会在存量市场中出现竞争加剧、产品需求下降等导致行业参与者销售收入降低的情形。公司所处行业发生不利变化将有可能直接影响公司的业务收入，从而对公司的经营产生不利影响。
目前全球经济仍处于周期性波动当中，尚未出现经济全面复苏趋势，依然面临下滑的可能，全球经济放缓可能对整个行业带来一定不利影响，进而间接影响公司业绩。
公司的核心技术为从外延生长、晶圆工艺处理、镀膜、到封装和测试等全流程芯片制造技术，公司通过申请专利对自主知识产权进行保护，该等知识产权对公司未来发展具有重要意义，但无法排除关键技术被竞争对手通过模仿或窃取等方式侵犯的风险。同时，公司一贯重视自主知识产权的研发，避免侵犯他人知识产权，但无法避免竞争对手或其他利益相关方采取恶意诉讼的策略，从而阻碍公司正常业务发展。
公司通过不断积累和演化已形成了较为丰富的技术秘密，其对公司发展具有重要意义。公司制定的相关技术保密制度、与员工签署的《保密协议》等无法完全防范技术泄露问题，不能排除未来因员工违反相关制度和协议、员工离职等因素导致的非专利技术和技术秘密泄露的风险。
公司股权相对分散，不存在控股股东和实际控制人。公司经营方针及重大事项的决策由股东大会和董事会按照公司议事规则讨论后确定，但不排除存在因无控股股东、无实际控制人导致公司决策效率低下的风险。同时，分散的股权结构导致公司上市后有可能成为被收购的对象，从而导致公司控制权发生变化，给公司生产经营和业务发展带来潜在的风险。
公司首次公开发行完成后，随着募投项目的实施，公司的资产规模和业务规模将进一步扩大，员工人数将相应增加，需要公司在资源整合、市场开拓、技术研发与质量管理、内部控制等诸多方面做调整优化，对各部门工作的协调性、严密性、连续性也提出了更高的要求。公司经营决策、组织管理、风险控制的难度也随之加大，公司存在因经营规模扩大导致的经营管理风险。
公司重视产品质量管理，建立了严格的质量控制制度，在产品生命周期内进行全流程监控，建立了覆盖原材料采购、产品生产、产品入库的全过程质量控制体系，并通过了ISO9001体系认证。由于半导体激光芯片生产工艺较复杂、技术难度高等，若某一环节因质量控制疏忽而导致产品出现质量问题，将会对公司品牌形象、市场拓展、经营业绩产生不利影响。
近年来，围绕公司发展战略，为扩充产品品类，扩大经营规模，以构筑较强的市场之间的竞争力，公司投资了多家产业链上下游企业，设立了苏州长光华芯投资管理有限公司作为公司产业投资基金管理平台，并与股权投资机构共同发起成立苏州华泰华芯太湖光子产业投资基金合伙企业（有限合伙）。但公司所投资标的尚处于初创期，后期能否和公司产生协同效应还存在一定的不确定性；同时所投标的未来经营管理过程中可能面临宏观经济及行业政策变化、市场之间的竞争等不确定因素的影响，存在一定的市场风险、经营风险、管理风险等，投资收益存在一定的不确定性。
2024年上半年公司实现营业收入12,736.05万元，较上年同期下降10.39%；归属于上市公司股东净利润-4,248.04万元。报告期内，受宏观经济环境等因素的影响，行业竞争加剧，公司在市场压力下，持续进行研发投入，公司研发能力及产品水平进一步提高，持续推出新产品，保持产品领先水平。（未完）
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