Charley Moser具有EE博士学位，是我最早的模仿规划导师之一。从他那里，我学到了许多常识——混合pi晶体管建模、用于安稳性剖析的Bode图对最小相位体系的约束、为何需求运用缓冲器以及怎么规划缓冲器、防止击穿的双极基极拉电流、SCR在高温下的运用等。其间，怎么在高电压下调理低功率是最有目共睹的立异；这对我来说极具价值，由于我是多家仪器公司带电粒子光学计划中所用高压电源规划范畴的高手。
他教我用接地基极高压晶体管进行并联调理，并经过运算放大器驱动发射极。晶体管的增益带宽将在其fT下下降3dB。用低电压输入操控高压输出需求很大的反应分压比，这会导致开环增益下降；因而晶体管在接地基极装备中对电压增益的巨大贡献很有用，并且关于安稳的环路来说应该不难操控。
根据人人喜欢的彩电晶体管有用电路及其大信号阶跃呼应，或许看起来是这样的：
运用超出其开路基极电压额定值的晶体管有些冒险，但将基极接地能够消除集电极基极漏电，使其尽或许不呈现毛病。正轨电压降至5V，这样基极发射极也不或许会产生雪崩，然后防止晶体管老化。在调整补偿值的过程中，咱们很快就会发现很难改进安稳时刻。
可是，现在的宽带隙FET使这种电路的规划变得微乎其微：无需忧虑标称电压，并且补偿更简单，只需花费上述规划的一小部分时刻就能够完成安稳；此外，也无需负轨。
如果您衔接负载的布线电容足够低，则在大多数情况下要更小JFET的更高阻抗版别，以运用其较低电容的优势。
我在40年前与Charley失去了联络（我的错），但我觉得他会非常喜欢运用宽带隙FET。
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